品牌簡介：Advanced Semiconductor,Inc.(ASI)生産射頻功率晶體管和(hé)微波二極管。他(tā)們是一家通過ISO 9001注冊的公司，專門(mén)制造用(yòng)于更換目的和(hé)新設計(jì)的過時(shí)且難以找到(dào)的組件。他(tā)們的射頻功率晶體管産品線主要替代摩托羅拉、飛(fēi)利浦和(hé)SGS Thomson的産品。他(tā)們的微波二極管系列主要替代來(lái)自(zì)HP、M/A-COM、Alpha和(hé)Loral/Frequency源的那些(xiē)。經過二十多年的發展，ASI以其提供的優質的産品、快(kuài)速的服務和(hé)交貨，在全球商用(yòng)和(hé)軍用(yòng)通信領域占據了(le)領先地位。美(měi)國ASI SEMICONDUCTOR主要産品包括：ASI射頻功率晶體管、托盤、模塊、微波二極管等。深圳市三港聯化工貿易有限公司現(xiàn)貨供應美(měi)國ASI SEMICONDUCTOR模塊射頻功率晶體管等全系列産品，特價采購，保質保量，價格優惠!ASI SEMICONDUCTOR産品一站(zhàn)式采購，型号齊全，一件起訂，歡迎選購!

一、美(měi)國ASI SEMICONDUCTOR公司簡介
ASI Semiconductor,Inc.(ASI)設計(jì)、供應和(hé)銷售最先進的高(gāo)功率脈沖射頻晶體管和(hé)托盤。他(tā)們自(zì)豪地爲數十個國家的數千名客戶提供服務，特别專注于航空(kōng)電子設備、雷達、醫(yī)療和(hé)工(gōng)業應用(yòng)的脈沖射頻商業應用(yòng)。他(tā)們正在引入VIMOS技術以滿足這(zhè)個獨特市場的需求和(hé)要求。他(tā)們支持該行業已有30多年，其中包括多個政府和(hé)财富500強客戶。ASI成立于1979年，并通過了(le)ISO 9001認證。他(tā)們的總部位于美(měi)國加利福尼亞州北好(hǎo)萊塢。

Advanced Semiconductor,Inc.(ASI)生産射頻功率晶體管和(hé)微波二極管。他(tā)們是一家通過ISO 9001注冊的公司，專門(mén)制造用(yòng)于更換目的和(hé)新設計(jì)的過時(shí)且難以找到(dào)的組件。他(tā)們的射頻功率晶體管系列主要取代了(le)摩托羅拉、飛(fēi)利浦和(hé)SGS Thomson的産品。他(tā)們的微波二極管系列主要取代來(lái)自(zì)HP、M/A-COM、Alpha和(hé)Loral/Frequency源的産品。Advanced Semiconductor對(duì)客戶服務有着根本性的承諾，并将始終盡最大(dà)努力确保滿足您的需求。

二、美(měi)國ASI SEMICONDUCTOR部分産品介紹
1、美(měi)國ASI SEMICONDUCTOR VIMOS功率晶體管
①ASI Semiconductor,Inc.提供一系列RF功率晶體管，可替代M/A-COM、Microsemi、Motorola、Philips/NXP、SGS Thomson/ST Micro和(hé)Infineon的産品。ASI早就認識到(dào)，他(tā)們的客戶不想被迫購買昂貴的上(shàng)次購買或面臨重要組件過時(shí)的問題-這(zhè)就是他(tā)們繼續提供一系列替換射頻功率晶體管的原因，如下(xià)所述。
②ASI提供雙極射頻功率晶體管、增強型FET射頻功率晶體管和(hé)LDMOS FET射頻功率晶體管，覆蓋1.0 MHz至4.2 GHz頻譜，輸出功率高(gāo)達600瓦。射頻功率晶體管有多種密封和(hé)非密封封裝，包括平衡配置。他(tā)們的許多射頻功率晶體管設計(jì)都具有内部阻抗匹配網絡，以提高(gāo)性能(néng)。
③要查找所需的ASI射頻功率晶體管，請(qǐng)單擊下(xià)方相應的應用(yòng)鏈接，或從(cóng)左側的晶體管零件編号索引中按前綴選擇替換晶體管系列。要快(kuài)速搜索，請(qǐng)在零件查找器搜索框中輸入零件編号或零件編号前綴。

2、美(měi)國ASI SEMICONDUCTOR脈沖放(fàng)大(dà)器設計(jì)的高(gāo)功率射頻晶體管
①維莫斯TM值是一種基于數十年半導體工(gōng)程的矽技術。GaN還處于起步階段。這(zhè)些(xiē)設備在堅固性方面很(hěn)脆弱，需要額外(wài)的電源複雜(zá)性，并且成本過高(gāo)。
②維莫斯TM值技術專爲脈沖、高(gāo)功率射頻放(fàng)大(dà)器而設計(jì)。另一方面，LDMOS是爲無線基站(zhàn)設計(jì)的，後來(lái)才用(yòng)于這(zhè)些(xiē)類型的應用(yòng)。VIMOS器件使用(yòng)與其對(duì)應的LDMOS相同的封裝，從(cóng)而創建更堅固的放(fàng)大(dà)器并減少對(duì)單一源LDMOS的依賴性、暴露和(hé)風(fēng)險。
③維莫斯TM值可以提高(gāo)放(fàng)大(dà)器的穩健性，減少現(xiàn)場故障，顯着減小(xiǎo)産品的尺寸和(hé)重量并提高(gāo)性能(néng)，所有這(zhè)些(xiē)都以具有競争力的成本進行。

3、美(měi)國ASI SEMICONDUCTOR射頻脈沖功率晶體管
ASI的射頻脈沖功率晶體管産品組合經過全新設計(jì)，可滿足高(gāo)功率脈沖系統的特定需求。尋求TCAS射頻晶體管、IFF射頻晶體管、SSR射頻晶體管和(hé)S模式射頻晶體管的射頻設計(jì)工(gōng)程師會(huì)發現(xiàn)該産品組合非常适合他(tā)們的獨特應用(yòng)。這(zhè)些(xiē)産品是最先進的，結合了(le)極端堅固性、高(gāo)射頻增益和(hé)非常高(gāo)的射頻輸出功率水(shuǐ)平。憑借高(gāo)達21dB的RF增益和(hé)高(gāo)達800瓦48伏的RF輸出功率水(shuǐ)平，單個VIMOS器件可以替代多個競争性RF晶體管，從(cóng)而減少重量、尺寸、成本和(hé)設計(jì)時(shí)間。這(zhè)些(xiē)産品可以在24伏至50伏的電源電壓下(xià)運行。

4、美(měi)國ASI SEMICONDUCTOR雷達詢問器
①相對(duì)于其他(tā)高(gāo)功率RF應用(yòng)，雷達脈沖RF應用(yòng)具有獨特的設計(jì)、性能(néng)和(hé)可靠性挑戰。模式S-ELM射頻晶體管（也(yě)稱爲模式S-EL/M或模式選擇ELM）系統在1030-1090MHz頻段運行，32μs開(kāi)啓/18μs關閉x48，每24毫秒脈沖條件重複一次。
②除了(le)分立式射頻晶體管之外(wài)，ASI還提供50歐姆托盤放(fàng)大(dà)器産品，這(zhè)些(xiē)産品的設計(jì)成本結構允許OEM供應商将托盤整合到(dào)他(tā)們的系統中。
③P1000-1215提供950瓦的功率，整個頻段的增益爲15dB。ASI的托盤放(fàng)大(dà)器産品提供現(xiàn)成的、快(kuài)速上(shàng)市的高(gāo)性能(néng)解決方案，具有VIMOS性能(néng)和(hé)可靠性的優勢，并且具有成本競争力。

5、美(měi)國ASI SEMICONDUCTOR遠程雷達射頻晶體管
尋求遠程雷達射頻晶體管、遠程超視(shì)距射頻晶體管或全天候雷達射頻晶體管的射頻設計(jì)工(gōng)程師會(huì)發現(xiàn)，ASI 420-470MHz脈沖射頻功率晶體管産品組合非常适合他(tā)們的獨特應用(yòng)。這(zhè)種應用(yòng)的苛刻要求需要非常高(gāo)的射頻輸出功率水(shuǐ)平、極端的耐用(yòng)性和(hé)高(gāo)射頻增益。此外(wài)，由于在現(xiàn)場更換設備的費用(yòng)很(hěn)高(gāo)，因此需要高(gāo)度可靠的RF晶體管。射頻增益高(gāo)達25dB，射頻輸出功率水(shuǐ)平高(gāo)達1100瓦，單個VIMOSTM值器件可以替代多個相互競争的射頻晶體管，從(cóng)而減少重量、尺寸、成本和(hé)設計(jì)時(shí)間。

三、美(měi)國ASI SEMICONDUCTOR主要産品和(hé)型号
1、美(měi)國ASI SEMICONDUCTOR主要産品
①美(měi)國ASI SEMICONDUCTOR遠程雷達射頻晶體管
②美(měi)國ASI SEMICONDUCTOR微波二極管
③美(měi)國ASI SEMICONDUCTOR托盤
④美(měi)國ASI SEMICONDUCTOR模塊
⑤美(měi)國ASI SEMICONDUCTOR射頻功率晶體管

2、美(měi)國ASI SEMICONDUCTOR産品型号
①美(měi)國ASI SEMICONDUCTOR ASI微波二極管
②美(měi)國ASI SEMICONDUCTOR 420-470MHz、UHF頻段、天氣和(hé)遠程雷達應用(yòng)
③美(měi)國ASI SEMICONDUCTOR 1030-1090MHz，模式S-ELM詢問器應用(yòng)
④美(měi)國ASI SEMICONDUCTOR 1030-1090MHz、TCAS、IFF SSR和(hé)Mode-S應用(yòng)
⑤美(měi)國ASI SEMICONDUCTOR HVV0912-800
⑥美(měi)國ASI SEMICONDUCTOR HVV1011-500L
⑦美(měi)國ASI SEMICONDUCTOR HVV1214-140

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